RAM-Vergleich Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Gesamtnote

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

33 38

Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.6 14.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 21300

Rund um 1.2% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.6 12.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2910 2825

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns