RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2825
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link