RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2637
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link