RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2637
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link