RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3341
3699
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link