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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3341
2227
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