RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3341
3221
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link