Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Gesamtnote
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Gesamtnote
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    54 left arrow 58
    Rund um 7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 18.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 1,308.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 5300
    Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    54 left arrow 58
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,573.5 left arrow 18.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,308.1 left arrow 9.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    371 left arrow 1998
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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