RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
58
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1998
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link