RAM-Vergleich Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Gesamtnote

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 54

Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.8 15.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.3 11.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 21300

Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2497 2938

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns