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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

総合得点
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 54
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 15.2
    テスト平均値
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    15.8 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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