RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
54
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
54
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
2938
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link