Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Средняя оценка
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 54
    Около 33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.3 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 54
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.8 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 14.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2497 left arrow 2938
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения