RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
30
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3106
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link