RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3106
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link