RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3106
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link