RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3666
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link