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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3666
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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