RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3666
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link