RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2780
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link