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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2780
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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