RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2780
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link