RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2553
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link