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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
2,909.8
15.7
写入速度,GB/s
1,519.2
12.0
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2553
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP512U72CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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