RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2346
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link