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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
総合得点
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
38
周辺 39% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
23
38
読み出し速度、GB/s
13.4
15.3
書き込み速度、GB/秒
8.0
10.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2269
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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