RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 38
    周辺 39% 低遅延
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 2346

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAMの比較

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
メモリRAM