RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2346
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link