RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3168
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link