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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3168
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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