RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2546
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link