RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3744
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link