RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
16.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3845
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link