RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
16.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3925
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link