RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3049
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link