RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
37
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
24
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3049
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link