RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
40
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2495
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link