Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Unterschiede

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 43
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 12.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 12.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 9.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 2501
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche