Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    37 left arrow 43
    Wokół strony 14% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 12.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.7 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 12.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 9.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 2501
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania