RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2404
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link