RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2922
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link