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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2922
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
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