RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
15.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3589
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link