RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3589
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link