RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3300
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link