RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3300
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link