RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
54
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3426
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link