RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3015
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link