RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
40
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
40
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3015
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link