RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2933
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link