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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
32
周辺 13% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
32
読み出し速度、GB/s
12.7
14.2
書き込み速度、GB/秒
7.5
11.0
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
2933
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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