RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3277
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link